美国加码先进封装，海力士规划推出HBM4。当地时间11 月20 日，美国商务部下属国家标准与技术研究所（NIST）发布国家先进封装制造计划（NAPMP）愿景文件，资金总额约30 亿美元，2024 年初将开启首批资助通道，领域为封装材料与基底。今年9 月，SK 海力士提出了在2026 年推出第六代HBM "HBM4 "的蓝图，其将拥有12 层或16 层D-RAM。SK 海力士还透露，将把下一代后处理技术“混合键合”应用于HBM4 产品。与现有的“非导电膜”工艺相比，该技术提高了散热效率并减少了布线长度，从而实现了更高的输入/输出密度。 HBM 在带宽、功耗、封装体积方面具备明显优势。 HBM（High BandwidthMemory）意为高带宽存储器，是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序的DRAM，HBM的作用类似于数据的“中转站”，就是将使用的每一帧，每一幅图像等图像数据保存到帧缓存区中，等待GPU 调用。按照不同应用场景，行业标准组织JEDEC 将DRAM 分为三个类型：标准DDR、移动DDR 以及图形DDR，图形DDR 中包括GDDR 和HBM。相比于标准的DDR4、DDR5 等产品，以GDDR 和HBM 为代表的图形DDR 具备更高的带宽，其中HBM 在实现更大带宽的同时也具备更小的功耗和封装尺寸。 HBM 有效解决了内存墙的问题，AI 时代在中高端GPU 中有望得到更广泛应用。过去20 年中，处理器的峰值计算能力增加了90,000 倍，但是内存/硬件互连带宽却只是提高了30 倍。存储性能的提升远远跟不上处理器性能提升，导致内存性能极大限制了处理器性能的发挥，对指令和数据的搬运（写入和读出）的时间将是处理器运算所消耗时间的几十倍乃至几百倍，而且引发了高能耗，即出现了 “内存墙”问题。具备更高带宽的GDDR 和HBM 相比传统DDR 有更高的带宽，因此有效的解决了该问题，GDDR 和成为中高端GPU 搭载的主流内存方案，HBM 也在部分高端GPU 中得到应用。 AI 大模型对于数据传输提出了更高的要求，HBM 有望替代GDDR 成为主流方案。 TSV 是HBM 实现的核心技术，先进封装及上游设备、材料需求有望提升。TSV 工艺包含晶圆的表面清洗、光刻胶图案化、干法/湿法蚀刻沟槽、气相沉积、通孔填充、 化学机械抛光等几种关键工艺，运用到晶圆减薄机、掩膜设备、涂胶机、激光打孔机、电镀设备、溅射台、光刻机、刻蚀机，同时配套的电镀液、靶材、特种气体、塑封料等需求亦有望快速提升。 我们看好HBM 产业的快速发展，先进封装及相应的设备、材料产业链值得重视： 先进封装领域，建议关注：通富微电、深科技、长电科技、太极实业 先进封装材料领域，建议关注：雅克科技、强力新材、华海诚科、上海新阳、德邦科技、飞凯材料、天承科技、华特气体、壹石通、唯特偶、兴森科技 先进封装设备领域，建议关注：芯源微、中微公司、拓荆科技、华海清科、盛美上海、赛腾股份、光力科技、新益昌、文一科技、凯格精机 风险提示 HBM 渗透率不及预期、AI 产业发展不及预期、国内供应商技术突破和产品导入进展不及预期 【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。 
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（图片来源网络，侵删）
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